Thông số kỹ thuật của Samsung Galaxy S21 FE được tiết lộ: Chip Exynos 2100/Qualcomm® Snapdragon™ 888, dung lượng pin 4580mAh và màn hình 60Hz

Sau khi ra mắt các flagship Galaxy S20 vào đầu năm nay. Samsung đã mang đến một bất ngờ nho nhỏ cho người dùng khi phát hành chiếc Galaxy S20 FE với giá bán phải chăng hơn rất nhiều vào tháng 9 vừa qua. Giờ đây, một nguồn tin mới nhất vừa tiết lộ rằng công ty Hàn Quốc hiện đã bắt đầu phát triển mẫu máy kế nhiệm của Galaxy S20 FE. Điện thoại này dự kiến sẽ ra mắt với tên gọi là Samsung Galaxy S21 FE và một vài thông số kỹ thuật chính của nó cũng đã được tiết lộ.

🎯🎯🎯 [[Xem thêm]] Thông số smartphone tầm trung 5G Vivo Y31s với chipset Qualcomm® Snapdragon™ 690 được tiết lộ trên trang web China Telecom

Theo nguồn tin này thay vì kết hợp màn hình OLED 120Hz trên Galaxy S21 FE. Samsung có thể sử dụng tấm nền 60Hz để thay thế. Động thái này sẽ giúp Samsung giảm chi phí sản xuất và duy trì mức giá phải chăng. Hợp với túi tiền của đại đa số người dùng.

Dù không có màn hình tần số quét cao nhưng Galaxy S21 FE dự kiến sẽ có hiệu năng cực kỳ mạnh mẽ. Khi sử dụng chipset Exynos 2100 và đi kèm dung lượng RAM 6GB. Thay vì RAM 8GB có trên phiên bản Mỹ của Galaxy S20 FE. Ngoài ra, Samsung có thể giới thiệu phiên bản RAM 8GB của Galaxy S21 FE tại Mỹ. Được trang bị Snapdragon 888.

Dung lượng pin cũng có thể thay đổi nhỏ. Trong khi Galaxy S20 FE có pin 4.500mAh. Galaxy S21 FE đi kèm pin lớn hơn một chút là 4.580mAh. Sự khác biệt này là cực kỳ nhỏ. Nhưng mẫu di động mới hơn của Samsung nhiều khả năng vẫn cho thời lượng sử dụng pin tốt hơn người tiền nhiệm. Nhờ chipset Exynos 2100 được xây dựng trên tiến trình 5nm nên tiết kiệm năng lượng hơn.

Hiện tại, vẫn chưa có thông tin chi tiết về camera. Nhưng nhiều khả năng Galaxy S21 FE sẽ có cảm biến chính được nâng cấp so với Galaxy S20 FE.

Nguồn: 9to5Android